报告人简介：

　　东南大学博士，中国电子科技集团公司第58研究所博士后，比利时IMEC交流学者。长期从事抗辐射集成电路设计工作，电路类型包括单元库、接口、存储器、PLL等。主持过十多项国家重大项目的研究，发表SCI/EI收录学术论文十余篇，授权国家专利八项。

报告内容简介：

　　首先介绍辐射环境以及对集成电路的影响，然后介绍空间辐射环境产生的总剂量效应和单粒子效应机理，重点介绍总剂量效应加固及单粒子效应加固技术以及在纳米级体硅CMOS电路中的加固技术，并将体硅CMOS工艺和SOI工艺辐射效应进行比较。