报告人简介(CV)：

　　Dr. Jens Erik Brucken, 博士，博导，现为芬兰赫尔辛基物理研究院研究员。Dr. Brucken 的主要研究方向是高能物理粒子探测器，医疗成像探测器，和粒子束探测器。Dr. Brucken 领导了欧州核子中心的多个探测器实验，包括 ALlCE 和CMS 中的探测器项目。 

报告摘要(Abstract)：

　　A design, fabrication process and characterization of photon detectors will be presented made of bulk Cadmium Telluride (CdTe) crystals, silicon drift detectors (SDD) and silicon detectors attached with conversion layer scintillator materials (SiS). The Si wafer and chip-　　scale CdTe detector processing with related interconnection processing was carried out in clean room premises of Micronova center in Espoo, Finland. Unlike Si wafers, CdTe processing must be carried out at the temperatures lower than 150?　　C. Thus, we have developed a low temperature passivation layer processes of aluminum oxide (Al2O3) grown by Atomic Layer Deposition (ALD) method. The CdTe crystals the size of 10 × 10 × 0.5mm3 were patterned with proximity-contactless photo-lithography techniques. The detector properties were characterized by IV-CV, Transient Current Technique (TCT) and scanning micrometer precision proton beam methods. The experimental results were verified with TCAD simulations with appropriate defect and material parameters.