2018年12月7日下午2：30，来自Ruđer Bošković Institute著名半导体探测器专家Jaakko教授及Aneliya Karadzhinova-Ferrer研究员在二教319室先后作了题为“Particle and Photon detector research at Ruđer Bošković Institute (RBI)”及“Characterization of semiconductor detectors using IBIC imaging method”的报告。报告由李正教授主持，百余名师生参加。

　　  首先，Jaakko教授向大家介绍了他的研究团队，并从设备、关键技术、探测器的战略研究方向等方面向大家做了详细的汇报。其中，Jaakko教授主要介绍了一种由碲化镉晶体、硅漂移探测器和带有转换层闪烁体材料的硅探测器组成的光子探测器的设计、制备和表征方法。Si晶片和芯片级CdTe探测器的处理以及相关的互连处理在Espoo的Micronova center洁净室进行。不同于硅芯片，CdTe处理必须在温度低于150^◦C。因此，Jaakko教授的研究团队开发了一种用原子层沉积法生长氧化铝(Al₂O₃)的低温钝化层工艺，通过邻近非接触式光刻技术来制作大小为10×10×0.5 mm³的CdTe单晶，采用IV-CV、瞬变电流技术(TCT)和扫描微米精度质子束的方法对探测器性能进行了表征。通过调节缺陷和材料参数将其带入TCAD仿真中，验证了实验的结果。

　　接着，Aneliya Karadzhinova-Ferrer研究员在报告中介绍了Ruder Boskovic Institute加速器实验室通过现有的离子束感应电流(IBIC)技术，使用扫描微束来研究各种半导体器件的性能。IBIC的特性提供了材料的响应信息和粒子束撞击点的坐标信息。通过IBIC技术，能够描绘出不同衬垫和不同像素化探测器结构的二维空间分辨率的电荷收集效率(CCE)，其分辨率可达到几个微米。在不同偏压下，2MeV质子微探针对由Si和CdTe组成的半导体器件进行了表征，完成了详细的电荷收集研究。同时，也介绍了IBIC扫描的结果，研究了阳极材料选择的影响，并分析了探测器的性能。

　　报告结束后，在场师生纷纷提出了自己的见解与疑问，并与两位报告人进行了探讨。最后，李正教授代表全体师生对Jaakko教授、Aneliya Karadzhinova-Ferrer研究员的精彩汇报表示了感谢。

　　报告人简介：

　　Jaakko教授是世界知名的半导体探测器专家，2001年于Aalto university获得博士学位，2001至2012年在Helsinki Institute of Physics研究以直拉单晶硅为基体材料的强子辐射探测器的制作。同时是Co-spokesperson of CERN RD39 Collaboration以及Convener for CERN RD50 Collaboration。2008年作为芬兰硬件组的领导人，负责CERN LHC加速器的CMS实验。2016年作为ERA (European Research Area) 主席，ERA(欧洲研究区)项目的目标是在Ruđer Bošković Institute(RBI)建立一个专注于半导体辐射探测器的小组和设施。Jaakko教授至今已发表论文500论文，其中约100篇发表在同行评审的期刊。其研究内容主要涉及半导体加工、辐射探测器、高能物理仪器和硅探测器的抗辐射加固。

　　Ferrer博士于2017获得Helsinki University的博士学位，其主要研究方向是研究如何确保粒子探测器的性能稳定性，目前是Ruder Boskovic Institute的研究员，是Jaakko教授课题组的青年研究员之一。与CERN CMS合作发表了近90篇物理学文章，其内容主要集中于气体和半导体粒子探测器的性能稳定性研究，包括各种材料表征技术（SEM显微镜，白光干涉测量，自动光学扫描系统，化学分析和电气表征）的可靠性研究。